半导体用光刻胶
应用场景：用于芯片前道晶圆制造及2.5D/3D先进封装、晶圆级封装
关键用途：栅极、接触孔、金属互联、浅沟槽隔离(STI)等精细图形转移
制程覆盖：g线/i线
正性光刻胶：
1.通用正胶：高宽容度、高附着力
2.耐干法、湿法刻蚀正胶： 高分辨率、高附着力、热稳定性强、图形陡直
3.先进封装厚膜正胶：膜厚高于5μm，陡直度接近90度
4.LOR正性光刻胶
负性光刻胶:
1.Lift off剥离负胶：可制作不同膜厚(0.5-25μm)，可调倒梯形undercut角度，易剥离无残留，亮度强，良率高
2.耐高温剥离负胶：耐温可达250℃以上，低挥发，低出气，易剥离无残留
3.耐湿法刻蚀负胶：高分辨率、高宽容度、高附着力、碱性显影、安全环保、保护金属涂层等
4.耐高温干法刻蚀负胶：高分辨率、高耐温、刻蚀选择比大于3：1，主要应用于半导体高温干法刻蚀、高温退火、深刻蚀工艺过程中，解决了正胶高温(>120℃)易坍塌、耐蚀刻性不足的难点，能够保持250℃以上形貌不变、依然陡直并且抗等离子干法蚀刻更强。
5.SU8环氧负性光刻胶：紫外固化曝光，膜厚能力强(单次旋涂可达1-200μm)、侧壁垂直、高深宽比、热稳定性优异(Tg>200℃，耐热250-300℃)、附着力强(硅、Si02、金属、陶瓷、玻璃均良好)。
先进封装厚膜负性光刻胶
应用场景：用于2.5D/3D先进封装、晶圆级封装
关键用途：凸点(Bump)、RDL重布线层图形化(耐电镀/刻蚀)、TSV硅通孔侧壁保护、MEMS高深宽比结构。
制程覆盖：g线/i线
产品介绍：先进封装厚膜负性光刻胶，5-100μm，适配厚胶+电镀工艺。单次涂布即可达到100μm及以上，工艺宽容度高、耐电镀液腐蚀、容易去除。